特許

J-GLOBAL ID：200903031342240192

積層体の製造方法および回収方法

発明者： 小島 一範 ,  中村 勤 ,  吉冨 孝 ,  石渡 豊明 ,  佐脇 透
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 三原 秀子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290010
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064107
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】生産性高く、簡便である積層体の製造方法、および回収方法を提供する。【解決手段】被処理物層A、有機物保護層B、および耐熱性有機物層Cをこの順に積層してなる積層体のA層の露出面に処理を行ってA’層とした後、A’層、B層、およびC層とからなる積層体の厚み方向に30〜800°C温度差を発生させることによりB層とC層との界面を剥離させ、A’層とB層とからなる積層体を得ることを特徴とする、積層体の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

被処理物層A、有機物保護層B、および耐熱性有機物層Cをこの順に積層してなる積層体のA層の露出面に処理を行ってA’層とした後、A’層、B層、およびC層とからなる積層体の厚み方向に30〜800°C温度差を発生させることによりB層とC層との界面を剥離させ、A’層とB層とからなる積層体を得ることを特徴とする、積層体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B32B31/26

FI (3件)：

H01L21/304 622J ,  H01L21/304 622L ,  B32B31/26

Fターム (19件)：

4F100AA01D ,  4F100AH00B ,  4F100AH00C ,  4F100AH02C ,  4F100AH03C ,  4F100AK47C ,  4F100AK49C ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100EC18 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ64A ,  4F100GB43 ,  4F100JA02C ,  4F100JJ03C ,  4F100JL02 ,  4F100YY00C

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開2001- 77304号公報 1頁
  
• 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-030746   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 接着および剥離法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-401077   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 無機基板のプレス加工法およびプレス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-401078   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 電子部品の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069684   出願人：三菱瓦斯化学株式会社