特許

J-GLOBAL ID：200903031360434417

薄膜赤外線検出素子およびその製造方法

発明者： 石田 誠 ,  澤田 和明 ,  赤井 大輔 ,  村上 健介 ,  中山 直人
出願人/特許権者： 国立大学法人豊橋技術科学大学 ,  日置電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-074401
公開番号（公開出願番号）：特開2008-232896
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】単一の薄膜上に配向制御した薄膜を形成することにより、結晶性の良い赤外線検出素子を得る。【解決手段】シリコン基板4の上面には、γ-Al2O3薄膜6が配向制御され、形成されている。γ-Al2O3薄膜6の上面には、下部プラチナ膜8が配向制御され、形成されている。下部プラチナ膜8の上面には、PZT膜が配向制御され、形成されている。PZT膜10の上面には、上部プラチナ膜12が形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上に形成される結晶性を有するAl203薄膜上に下部金属薄膜、強誘電体薄膜をそれぞれ配向制御して積層し、前記強誘電体薄膜上に上部金属薄膜を積層させてなる薄膜赤外線検出素子であって、 前記強誘電体薄膜は、前記下部金属薄膜の上面のみでかつ、前記下部金属薄膜の上面の一部分上のみに積層されており、 前記上部金属薄膜は、前記強誘電体薄膜の上面のみでかつ、前記強誘電体薄膜の上面の一部分上のみに積層されていることを特徴とする薄膜赤外線検出素子。

IPC (2件)：

G01J 1/02 ,  H01L 37/02

FI (2件)：

G01J1/02 Y ,  H01L37/02

Fターム (4件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA13 ,  2G065CA30

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公平6-85450号公報
  
• 特許第3482048号公報