特許
J-GLOBAL ID：200903031360734712
不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のデータ書き換え方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091537
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297088
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜劣化を防止しつつ、消去特性のメモリセル間のバラツキを抑制する。【解決手段】 基板1上に、ゲート絶縁膜4、浮遊ゲート電極5、ゲート絶縁膜6、制御ゲート電極7が順次積層された複合ゲート電極と、複合ゲート電極両側の基板表面に形成されたソース、ドレイン2,3と、を有し、浮遊ゲート電極5に蓄積された電子を放出する場合に、チャネル領域上のゲート絶縁膜4を介して浮遊ゲート電極5から電子をトンネル放出させるように、制御ゲート電極7-基板1間に電圧を印加した後、ソース2又はドレイン3と浮遊ゲート電極5とのオーバーラップ領域上のゲート絶縁膜4を介して浮遊ゲート電極5から電子をトンネル放出させるように、制御ゲート電極7-ソース・ドレイン2,3間に電圧を印加する電圧印加手段を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に、第1のゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、第2のゲート絶縁膜、制御ゲート電極が順次積層された複合ゲート電極と、前記複合ゲート電極両側の前記半導体基板表面に形成されたソース、ドレインと、を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲート電極に蓄積された電子を放出する動作を行なう場合に、チャネル領域上の前記第1のゲート絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極から電子をトンネル放出させるように、前記制御ゲート電極と前記半導体基板との間に電圧を印加した後、前記ソース又はドレインと前記浮遊ゲート電極とのオーバーラップ領域上の前記第1のゲート絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極から電子をトンネル放出させるように、前記制御ゲート電極と前記ソース又はドレインとの間に電圧を印加する電圧印加手段を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/04
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 621 C
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
