特許
J-GLOBAL ID：200903031374643884
気相成長装置を用いたシリコン成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197916
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036191
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：
【要約】【課題】 反応室内の洗浄頻度を低減させて、装置稼働率を向上させる。【解決手段】 気相成長装置を用いたシリコンの成膜を行う方法において、サセプタ上に載置した基板上にシリコンの成膜を行い、シリコンの成膜を行う際の温度を950°C以上とし、成膜に際して使用するキャリアガスとシリコン原料ガスとの流量比を、キャリアガス:シリコン原料ガス=1:0.0011〜0.0020とし、基板上に成膜されたシリコンの累積膜厚が、100μm〜200μmになるごとにサセプタの上に積層したシリコンのエッチングを行い、さらにサセプタ5の表面にシリコンコーティングを行う。
請求項（抜粋）：
気相成長装置を用いたシリコンの成膜方法において、サセプタ上に保持された基板上に、シリコンの成膜を行う際の温度を、950°C以上とし、成膜に際して使用するキャリアガスとシリコン原料ガスとの流量比を、キャリアガス:シリコン原料ガス=1:0.0011〜0.0020として、上記基板上にシリコンの成膜を特徴とする気相成長装置を用いたシリコン成膜方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 504
, C30B 25/02
, H01L 21/205
C30B 29/06 504 C
, C30B 25/02 Z
, H01L 21/205
