特許

J-GLOBAL ID：200903031385165402

光半導体封止用樹脂組成物

発明者： 菅 克司
出願人/特許権者： ナガセケムテックス株式会社
代理人 (1件)： 古谷 信也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075078
公開番号（公開出願番号）：特開2005-263869
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 紫外線にさらされても黄変せず、黄変による短寿命化を克服することができ、従来のエポキシ樹脂の代わりに使用することができて耐久性に優れ、紫外乃至青色光半導体素子に好適なトランスファー成形封止用組成物を提供する。【解決の手段】 エポキシ環を少なくとも2つ有するラダー構造体、又は籠型構造体、若しくはその部分開裂構造体(籠型構造からケイ素原子のうちの一部が欠けた構造や籠型構造の一部のケイ素-酸素結合が切断された構造のもの)の、官能基含有シルセスキオキサン、エポキシ樹脂、及び硬化剤からなりBステージ化されてなる光半導体封止用樹脂組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

エポキシ環を少なくとも2つ有するシルセスキオキサンからなりBステージ化されてなる光半導体封止用樹脂組成物。

IPC (3件)：

C08G59/30 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

FI (2件)：

C08G59/30 ,  H01L23/30 R

Fターム (25件)：

4J036AA05 ,  4J036AB17 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AD21 ,  4J036AJ01 ,  4J036AJ02 ,  4J036AJ03 ,  4J036AJ05 ,  4J036AJ09 ,  4J036AJ21 ,  4J036DB21 ,  4J036DB22 ,  4J036DC06 ,  4J036DC10 ,  4J036DC40 ,  4J036DC46 ,  4J036GA02 ,  4J036GA04 ,  4J036HA02 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光導波路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206867   出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社, 東亞合成株式会社
• 光学的に透明な水素シルセスキオキサン樹脂組成物、その製造方法及び酸化ケイ素膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-258849   出願人：ダウコーニングアジア株式会社