特許
J-GLOBAL ID：200903031392150976
半導体レーザパッケージおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025259
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232059
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 基準面からレーザチップまでの高さと、レーザチップから受光素子までの高さとをともに設計値に近づけることができる半導体レーザパッケージを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体レーザパッケージは、基準面2と基準面2の略垂直方向に突出したブロック部7とを含む金属製の部材であるアイランド部1と、リード6と、アイランド部1とリード6との相対位置関係を固定するようにアイランド部1およびリード6と一体的に成形された樹脂部5と、ブロック部7に固定されたレーザチップ3と、上記樹脂部に直接固定された受光部としての受光素子4とを備える。
請求項（抜粋）：
基準面と前記基準面の略垂直方向に突出したブロック部とを含む金属製の部材であるアイランド部と、リードと、前記アイランド部と前記リードとの相対位置関係を固定するように前記アイランド部および前記リードと一体的に成形された樹脂部と、前記ブロック部に、前記基準面に略垂直な方向にレーザ光を発射可能なように固定されたレーザチップと、前記樹脂部に直接固定された受光部とを備える、半導体レーザパッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/022
, G11B 7/125 Z
5D119AA38
, 5D119CA09
, 5D119FA05
, 5D119FA18
, 5D119JA14
, 5D119KA40
, 5D119LB06
, 5D119MA09
, 5F073BA06
, 5F073FA08
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA23
, 5F073FA24
, 5F073FA28
, 5F073FA30
