表面伝導型電子放出素子、電子源、画像形成装置、及びこれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊田善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-336635
公開番号（公開出願番号）：特開平8-180795
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】表面伝導型電子放出素子を複数用いた電子源において、各素子の電子放出特性の均一化を図る。【構成】絶縁性基板1上に素子電極4、5を形成し、その上にPdOからなる第1層3aを堆積し、通電処理して亀裂31を形成した後、Wからなる第2層3bを堆積し、同様に通電処理して亀裂31内に亀裂を形成し、電子放出部2を形成する。【効果】フォーミングに必要な電流値が低減され、フォーミング時の素子基板の損傷が防止されると同時に、均一で且つ高い電子放出特性が得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に対向して設けられた一対の素子電極と、該素子電極間に設けられた、電子放出部を有する導電性薄膜とを有する電子放出素子であって、上記導電性薄膜が少なくとも上下2層からなり、第1層の薄膜は上記素子電極間の略中間に亀裂を有し、第2層の薄膜は第1層よりも高融点材料で上記第1層の薄膜の上及び第1層の亀裂内に形成され、且つ第1層の亀裂の内側に第2層の薄膜の亀裂が形成され、電子放出部を形成していることを特徴とする表面伝導型電子放出素子。

IPC (6件)：

H01J 1/30 , H01J 9/02 , H01J 31/12 , H01J 31/15 , H01L 49/00 , H04N 5/66

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-279541
特開平2-192638
特開平1-276530

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