特許
J-GLOBAL ID:200903031397876193

電源配線

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-227380
公開番号(公開出願番号):特開平7-086513
出願日: 1993年09月13日
公開日(公表日): 1995年03月31日
要約:
【要約】【目的】 大容量のバイパスコンデンサを、寄生抵抗値を小さくするように電源グランド間に形成し、電源ノイズの除去効果の大きい電源配線を提供する。【構成】 電源配線1を両側から挟むようにグランド配線2を配置する。この電源配線の下にゲート酸化膜3とゲート4を形成する。ゲート酸化膜の端にn領域8を形成しグランド電位にする。グランド配線下の残りの大半の部分にp領域9を形成し基板コンタクトをとる。ゲートの電位は電源と等しいため、酸化膜の下には反転層が形成され、n領域を通じてグランドの電位となる。ゲートとこの反転層でゲート酸化膜を挟むことによってコンデンサが形成される。コンデンサのサイズは長さが電源配線の幅の約半分で幅が電源の配線長とほぼ等しいため、ゲートや反転層に発生する寄生抵抗は小さく抑えられ、かつ、基幹電源配線の面積並のゲート容量が電源グランド間に接続される。
請求項(抜粋):
集積回路において、第1の電源配線の両側に第2の電源配線を配置、もしくは、第1の電源配線と第2の電源配線を交互に配置し、前記第1の電源配線の下には前記第1の電源配線に接続されたゲート電極、及び、ゲート絶縁膜を形成し、前記第2の電源配線の下には前記ゲート電極に隣合った領域に前記第2の電源配線に接続された第1導電型領域を、そのほかの領域に前記第2の電源配線に接続された第2導電型領域を形成し、前記第1の電源配線と前記第2の電源配線の間にバイパスコンデンサを形成することを特徴とする電源配線。
IPC (3件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82
FI (2件):
H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 L
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平2-144936
  • 半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-007180   出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

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