特許

J-GLOBAL ID：200903031434363355

磁電変換素子

発明者： 菊田 秀一 ,  中戸 辰康 ,  前田 修
出願人/特許権者： ニッコーシ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075197
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288666
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】少なくとも2個一対の磁気抵抗素子11・12の両方に同等な磁界を与え、磁気抵抗素子11・12の電気抵抗値がほぼ同等の磁気センサ装置を供給する。【解決手段】未着磁の永久磁石素材111の上に多数の磁気抵抗素子11・12を形成し、ダイシングマシン等によって精度良く永久磁石素材111と共に切断する。複数に分離された磁気抵抗素子を個々に取り出し永久磁石素材を着磁し永久磁石とする。着磁された永久磁石素材の中心と2個一対の磁気抵抗素子11・12の中心はほぼ一致し2個一対の磁気抵抗素子11・12の両方に同等の磁束を与えることができる。、【選択図】図11

請求項（抜粋）：

磁界の変化によって電気抵抗値が変化する磁気抵抗素子を支持する素子基板を永久磁石とした磁電変換素子。

IPC (3件)：

H01L43/02 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L43/02 Z ,  H01L43/08 S ,  G01R33/06 R

Fターム (2件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気信号検出素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-400053   出願人：帝国通信工業株式会社
• 特開平4-038484
  
• 特開平3-014276