特許

J-GLOBAL ID：200903031440904686

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 田尻 敦志 ,  林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092928
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 組み立て時に手間をかけることなく光出力を容易かつ正確にモニタすることができ、かつ量産時の特性のばらつきが小さい半導体レーザ装置を提供することである。【解決手段】 ストライプ状のリッジ部の上部のp-AlGaAsクラッド層9上にp-GaAsコンタクト層10を形成し、p-GaAsコンタクト層10上にSiOX 膜11およびSiN膜12を順に形成する。ストライプ状のリッジ部の上部におけるSiN膜12にレーザビームをストライプ状に照射することによりp-GaAsコンタクト層10にストライプ状のSi拡散領域14を形成する。SiOX 膜11およびSiN膜12をパターニングした後、Si拡散領域14上にモニタ用電極15を形成し、p-GaAsコンタクト層10上にレーザ用電極16を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にストライプ状の光導波路が形成された半導体レーザ装置において、前記光導波路の上部に受光素子が形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/12 ,  H01S 3/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/12 H ,  H01S 3/00 G ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148732   出願人：三菱電機株式会社