半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070161
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】低しきい値、高効率な半導体発光素子を提供する。【構成】 3-5族化合物半導体基板1上に、一対の光閉じ込め層4、6およびクラッド層3、7で挟んだ、量子井戸構造を有する活性層5を設けた半導体発光素子において、光閉じ込め層4、6およびクラッド層3、7の少なくとも一方は、少なくとも対をなす片側に多重量子井戸構造を含み、該多重量子井戸構造を構成する障壁層を、前記基板1に格子整合する間接遷移型バンド構造を有する3-5族化合物半導体で構成する。

請求項（抜粋）：

3-5族化合物半導体基板上に、一対の光閉じ込め層およびクラッド層で挟んだ、量子井戸構造を有する活性層を設けた半導体発光素子において、光閉じ込め層およびクラッド層の少なくとも一方は、少なくとも対をなす片側に多重量子井戸構造を含み、該多重量子井戸構造を構成する障壁層は、前記基板に格子整合する間接遷移型バンド構造を有する3-5族化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭64-007587
半導体レーザー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-231213 出願人：富士ゼロツクス株式会社
特開平3-257887

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