特許
J-GLOBAL ID：200903031480996214
半導体製造装置の高温縦型炉
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171106
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006965
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置の高温縦型炉の熱耐久性の向上を図る。【構成】炉体ベース43にヒートユニット40を立設し、該ヒートユニットに同心に配設した反応管59を該反応管下端に形成したフランジ52の下面が露出する様周縁に於いて支持し、前記反応管に装入されるボートキャップ59により反応管開口部を閉塞可能とし、又反応管を、炉体ベースに下方に延出する筒状の炉口カバー44に取付け、炉口カバー内に不活性ガスを充填し、反応室内への金属部の露出を低減し、炉口部周辺を炉口カバーで覆い内部を不活性ガスで充填することで炉内ガス漏出に対する安全性を向上させる。
請求項（抜粋）：
炉体ベースにヒートユニットを立設し、該ヒートユニットに同心に配設した反応管を該反応管下端に形成したフランジの下面が露出する様周縁に於いて支持し、前記反応管に装入されるボートキャップにより反応管開口部を閉塞可能としたことを特徴とする半導体製造装置の高温縦型炉。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
