特許

J-GLOBAL ID：200903031481846704

無被膜の裏側ウエーハを研磨する装置およびプロセス

発明者： マイケル・レイモンド・アール ,  ラッセル・エイ・デテリッチ ,  ロバート・エイ・ヤンシー
出願人/特許権者： デルコ・エレクトロニクス・コーポレーション
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164541
公開番号（公開出願番号）：特開平9-103957
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 シリコン・ウエーハの前面における集積回路チップに対する圧力破損を生ぜず、かつ研磨プロセス中に集積回路チップおよび関連する金属ボンド・パッドの汚染を許容しないウエーハの裏面の研磨を可能にする装置10。【解決手段】 研磨される複数のウエーハ14を固定する複数のチャック・テーブル32を含む。各チャック・テーブルが、テーブルに固定された緩衝ゴム・パッド40と、ウエーハの前面との境界面とを含む。研磨工程の間、有機酸の冷却液を用いて、シリコン粒子と残留物が集積回路チップの金属ボンド・パッドに付着することを防止する。

請求項（抜粋）：

集積回路ウエーハの裏面を研磨する装置において、研磨チャック・テーブルの表面に固定された緩衝パッドを含み、ウエーハの前面が緩衝パッドに対して定置され、該ウエーハの裏面が研磨されるよう露出されるようにウエーハを固定する手段を更に含む、研磨チャック・テーブルと、研磨プロセスの間ウエーハから解離された残留物がウエーハに付着することを防止する有機酸を含む冷却液を研磨チャック・テーブルに対して供給する手段と、を備える装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコンウェーハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-098950   出願人：住友シチックス株式会社
• 特開平4-033338
  
• 特開平2-199832