特許

J-GLOBAL ID：200903097882510343

シリコンウェーハの洗浄方法

発明者： 浅野 政幸 ,  末永 亨 ,  米原 弘昭 ,  岡 安則
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098950
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291099
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ表面の重金属を除去でき、人体に対して危険性が少なく、腐食性の小さなHPM処理に代わるシリコンウェーハの洗浄方法の提供。【構成】 循環濾過式洗浄液槽を使用し、洗浄液としてpH3以下の有機酸を用いてAPM洗浄後のウェーハの最終仕上げ洗浄を行う。【効果】 低腐食性の有機酸を使用するために、耐腐食性構造を必要としないので設備が小型化でき、スペースの少ない所でも容易に設備化でき、人体に対する危険性も少なく操作性、メンテナンス性に優れ、HPM洗浄と比較してMCL除去効果は同等で、キレート効果を持つため、重金属の再付着を防止することができ、MCLライフタイムにおいて安定した品質が得られる。

請求項（抜粋）：

洗浄液槽内にウェーハを浸漬して洗浄する浸漬式洗浄方法において、洗浄液として有機酸を用いて、ウェーハの最終仕上げ洗浄を行うことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液中異物付着制御法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-226873   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-033338
  
• 特開平4-179225