特許
J-GLOBAL ID：200903031538722993
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239497
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087834
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ドットに直接加わる圧縮応力を低減し、1.3μm以上の長波長で発振する半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板と格子整合しない半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に持つ半導体レーザにおいて、前記半導体基板1とドット状結晶5との間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶5を埋め込んだ構造を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と格子整合しない半導体材料からなるドット状結晶を活性領域に持つ半導体レーザにおいて、前記半導体基板とドット状結晶との間の格子定数を持つ半導体材料でドット状結晶を埋め込んだ構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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