特許
J-GLOBAL ID：200903031539932827

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
本間 荘一

本間 荘一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113657
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306938
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 再配線層に“マイグレーション”や“コロージョン”の発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 集積回路に電気的に接続されたパッド3と、パッド3に通じる開孔5を有するパッシベーション膜4と、開孔5を介してパッド3に電気的に接続されるとともにパッシベーション膜4上に引き出された再配線層6と、再配線層6を完全に被覆するとともに、パッシベーション膜4上に張り出した張出部位9を有するバリアメタル層8と、再配線層6上のバリアメタル層8に達する開孔11を有する有機膜10と、開孔11およびバリアメタル層8を介して再配線層6に電気的に接続されるバンプ電極12とを具備することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
集積回路が形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板と、前記基板上に形成され、前記パッドに通じる開孔を有するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出された再配線層と、前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するバリアメタル層と、前記バリアメタル層および前記パッシベーション膜上に形成され、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達する開孔を有する有機膜と、前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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