特許

J-GLOBAL ID：200903031548500719

絶縁体薄膜およびその製造方法

発明者： 田中 淳 ,  中谷 喜紀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346278
公開番号（公開出願番号）：特開平11-172490
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 樹脂基板または樹脂フィルム上に、緻密で薬品等に対する耐性が強く、コーティング性能に優れ、しかも低温形成可能な絶縁体薄膜を提供する。【解決手段】 樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、金属薄膜を形成する工程と、該薄膜を陽極酸化法により絶縁体薄膜とする工程とを含む絶縁体薄膜の製造方法において、前記金属薄膜の形状を加工することなく、かつ、酸化のために接続された電極近傍を除くすべての金属薄膜を、金属部分を残すことなく陽極酸化して形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、金属薄膜を形成する工程と、該薄膜を陽極酸化法により絶縁体薄膜とする工程とを含む絶縁体薄膜の製造方法において、前記金属薄膜の形状を加工することなく、かつ、酸化のために接続された電極近傍を除くすべての金属薄膜を、金属部分を残すことなく陽極酸化して形成することを特徴とする絶縁体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C25D 11/00 308 ,  G02F 1/1333 505

FI (2件)：

C25D 11/00 308 ,  G02F 1/1333 505

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-077317
  
• 陽極酸化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-323837   出願人：カシオ計算機株式会社
• 特開昭52-040445
  
• 特開昭50-066448