特許
J-GLOBAL ID：200903031553749369
カーボン又はゲルマニウムを含んだ多結晶シリコン集積抵抗
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江崎 光史 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-577703
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526896
出願日： 1999年10月16日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：
【要約】本発明は、高抵抗の多結晶シリコン集積抵抗及びこの高抵抗の多結晶シリコン集積抵抗を製造する方法に関する。この発明では、製造プロセスの間の許容感度及びこれによる抵抗許容値が改良され、温度係数が従来のこのような抵抗に比べて低下し、かつこのような抵抗の安定性が高まる。この課題は、本発明により、炭素を添加して単結晶内部のドーピング要素の拡散つまり拡散係数を低下させることによって、及び/又は、炭素を添加するか又は炭素なしに多結晶Si Ge を使用することによって解決される。今まで一般的な高純度のアモルファス又は多結晶Si 層の形成、引き続くインプランテーションそして焼き戻しの代わりか、又はドーピング要素、例えばホウ素,リンやアンチモンによるインシツ・ ドーピング(in-situ-Dotierung) の代わりに、Sil-yCy 又はSi Ge Cが使用される。
請求項（抜粋）：
1枚の基板(1),1つの電気絶縁体(2),1枚の抵抗層及び複数の接点(4)を有する高抵抗の多結晶シリコン集積抵抗において、1枚の多結晶層(3)から形成されるこの抵抗層は、Si C,Si Ge 又はSi Ge Cから成ることを特徴とする高抵抗の多結晶シリコン集積抵抗。
IPC (2件)：
Fターム (6件)：
5F038AR07
, 5F038AR09
, 5F038AR10
, 5F038AR16
, 5F038EZ13
, 5F038EZ20
