特許

J-GLOBAL ID：200903031559532507

半導体装置の製造方法

発明者： 重原 和信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163374
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022414
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】CVD法を用いてタングステンによりコンタクトホールの埋め込みを行う際に、より径の小さいコンタクトホールまで空孔が発生することなく成膜を行なわせる。【構成】SiH4 ガスによりWF6 ガスを還元してタングステンを成膜する際に、図1に示すように成膜ガスの流量比を周期的に変化させる。こうすることによりSiH4 ガスが過剰な状態と、WF6 ガスが過剰な状態を作りだすことができる。過剰なガスはコンタクトホール底部まで消費されることなく拡散できるため、より多くの成膜ガスをコンタクトホール中に供給できる。これにより、空孔の発生を防ぎながらコンタクトホールを埋めこむことが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの所定の層間絶縁膜に下層の導電領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、SiH4 ガスに続いてWF6 ガスを供給してタングステン膜を前記コンタクトホール部に選択成長させる工程とを有する半導体装置の製造方法において、少なくとも前記WF6 ガスの流量を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-277231
  
• 特開平1-206623
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-273848   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平4-000765