特許

J-GLOBAL ID：200903031567110409

電源装置

発明者： 菅沼 和俊
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281240
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051919
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】直流電源の電圧が高くなり過ぎたときや直流電源を逆極性に接続したときの保護を行え、且つ、回路部品点数の削減による低コスト化を図れる電源装置を提供する。 【解決手段】逆接続保護用MOSFETQ1と過電圧保護用MOSFETQ2とのソースを共通接続する。pnpトランジスタからなり両MOSFETQ1,Q2のゲート-ソース間にエミッタ-コレクタ間が挿入され且つエミッタが抵抗R0を介して直流電源Vsの正極に接続された第1のスイッチ素子Tr1と、第1のスイッチ素子Trのベースと両MOSFETQ1,Q2のソースとの間に接続されたツェナダイオードZD2と、npnトランジスタからなり第1のスイッチ素子Tr1のベースと両MOSFETQ1,Q2のソースとの間にコレクタ-エミッタ間が挿入され電圧検出回路3による検出電圧が所定値を超えたときにオンする第2のスイッチ素子Tr2とを設けている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

直流電源と、直流電源の出力電圧を負荷回路に必要な電圧に変換する電力変換回路と、直流電源の正極と電力変換回路の高電位側の入力端との間に挿入された電源スイッチと、直流電源の負極と電力変換回路の低電位側の入力端との間にソース-ドレイン間が挿入された第1のnチャネルMOSFETからなる過電圧保護用MOSFETと、過電圧保護用MOSFETのソースと直流電源の負極との間にソース-ドレイン間が挿入された第2のnチャネルMOSFETからなる逆接続保護用MOSFETと、pnpトランジスタからなり両MOSFETのゲート-ソース間にエミッタ-コレクタ間が挿入され且つエミッタが抵抗を介して直流電源の正極に接続された第1のスイッチ素子と、第1のスイッチ素子のベースにカソードが接続され両MOSFETのソースにアノードが接続されたツェナダイオードと、直流電源の電圧を検出する電圧検出回路と、第1のスイッチ素子のベースと両MOSFETのソースとの間に挿入され電圧検出回路による検出電圧が所定値を超えたときにオンする第2のスイッチ素子とを備えてなることを特徴とする電源装置。

IPC (4件)：

H02H7/20 ,  G05F1/10 ,  H02H11/00 ,  H02M3/00

FI (5件)：

H02H7/20 A ,  G05F1/10 303A ,  H02H11/00 B ,  H02H11/00 F ,  H02M3/00 B

Fターム (28件)：

5G053AA09 ,  5G053AA15 ,  5G053BA04 ,  5G053CA02 ,  5G053EC03 ,  5H410BB04 ,  5H410CC02 ,  5H410EA10 ,  5H410EA11 ,  5H410EA28 ,  5H410EB01 ,  5H410FF03 ,  5H410KK01 ,  5H410LL01 ,  5H410LL02 ,  5H730AA15 ,  5H730AS01 ,  5H730DD02 ,  5H730DD04 ,  5H730DD10 ,  5H730FD11 ,  5H730FG01 ,  5H730XC09 ,  5H730XX02 ,  5H730XX12 ,  5H730XX22 ,  5H730XX32 ,  5H730XX42

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電源回路の保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-377956   出願人：甲府日本電気株式会社