特許

J-GLOBAL ID：200903031570650864

半導体装置

発明者： 西谷 祐司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162216
出願日： 1995年12月09日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子11と、配線基板14とからなる半導体装置において、その小型化を図り、更に、配線基板14の配線15の半導体素子11の電極12と接続される側の部分の集積密度を低くできるようにする。【解決手段】 配線基板14に半導体素子11よりも小さなワイヤ通孔17を形成し、その電極12が該ワイヤ通孔17よりも小さな電極配置領域13内に配設し、該配線基板14の上面に、半導体素子11を、電極配置領域13がワイヤ通孔13内に納まる位置関係で接着し、上記各電極12と、配線15の端子とをワイヤ通孔17を通るワイヤ20により接続してなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子が接続された配線基板とからなる半導体装置において、上記配線基板に上記半導体素子よりも小さなワイヤ通孔が形成され、上記半導体素子の主面の電極が上記ワイヤ通孔よりも小さな領域内に配設され、上記配線基板の一方の主面に上記半導体素子が、上記電極が形成された上記領域が上記ワイヤ通孔内に納まる位置関係で接着され、上記半導体素子の各電極と、上記配線基板の各電極と対応する配線の端子とが上記ワイヤ通孔を通るワイヤにより接続されてなることを特徴とする半導体装置

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子部品および電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-115414   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-286148
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-323511   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-286148