特許

J-GLOBAL ID：200903031572798400

先取り方式のカラムデコーダ及びこれを備える半導体メモリ装置

発明者： 朴 哲佑
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248309
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106678
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 先取り方式により外部動作周波数よりも常にダウンした周波数で動作が行われる半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 外部信号に同期して順次に出力する連続したアドレスの多数のデータを該当メモリセルから一斉に読出し、前記データ数分のビットを有する一時ラッチ回路に貯蔵してからマルチプレキシングして出力する構成を有し、前記データ数分のビット先取りをもつカラムデコーダを備える半導体メモリ装置において、同時に先取られるメモリセル50のそれぞれに1ずつ接続されて該メモリセルのデータを選択的に伝送するためのカラム選択ゲート3〜11と、該カラム選択ゲートのそれぞれに接続されてデータを入出力するための入出力ライン対と、該入出力ライン対に接続され、前記入出力ライン上のデータを感知増幅してデータ入出力ラインへ伝送するためのセンスアンプ100,200と、を備える。

請求項（抜粋）：

外部信号に同期して順次に出力する連続したアドレスの多数のデータを該当メモリセルから一斉に読出し、前記データ数分のビットを有する一時ラッチ回路に貯蔵してからマルチプレキシングして出力する構成を有し、前記データ数分のビット先取りをもつカラムデコーダを備える半導体メモリ装置において、同時に先取られるメモリセルのそれぞれに1ずつ接続されて該メモリセルのデータを選択的に伝送するためのカラム選択ゲートと、該カラム選択ゲートのそれぞれに接続されてデータを入出力するための入出力ライン対と、該入出力ライン対に接続され、前記入出力ライン上のデータを感知増幅してデータ入出力ラインへ伝送するためのセンスアンプと、該センスアンプの出力を基にして確実な論理を有するデータをバッファリング出力するデータ出力バッファと、を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 11/408 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 354 B ,  G11C 11/34 362 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• メモリ選択回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146349   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092751   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

審査官引用 (1件)

• メモリ選択回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146349   出願人：日本電気株式会社