特許
J-GLOBAL ID：200903031582763095
フッ化物結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西山 恵三
, 内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148961
公開番号（公開出願番号）：特開2005-330145
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 エキシマレーザに対する透過率が高く且つ高出力レーザに対する対する耐久性の優れたフッ化物結晶を作るための、生産性が高く製造コストを押さえた製造方法を提供する。また、結晶表面に生じる劣化層を極力抑えて、良品部分をできるだけ減らさずにフッ化物結晶をアニールする方法を提供する。【解決手段】 フッ化物原料(結晶)を収容したルツボ内に、フッ化物原料の融点以下の温度においてCOガスを導入することにより、フッ化物の原料が融解する前に、スカベンジ反応によって生成した有害な物質(ZnO)をCOガスによって速やかに還元して、ルツボ外に除去しやすい物質に変える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フッ化物原料あるいはスカベンジャーが添加されたフッ化物原料をルツボにて加熱してフッ化物結晶を製造する際に、前記フッ化物原料の融点以下の温度において、前記フッ化物原料が融解する前にCOガスをルツボ内に導入することを特徴とするフッ化物結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/12
, C30B11/00
, C30B33/02
, G02B1/02
C30B29/12
, C30B11/00 Z
, C30B33/02
, G02B1/02
4G077AA02
, 4G077BE02
, 4G077CD02
, 4G077EA06
, 4G077EC02
, 4G077EJ09
, 4G077FE05
, 4G077FE11
, 4G077HA01
, 4G077MB04
, 4G077MB35
