特許
J-GLOBAL ID：200903031593645965
半導体レーザアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073104
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273468
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 そりの小さい半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体レーザアレイ10は、複数の半導体レーザ素子によってなる半導体レーザアレイにおいて、各半導体レーザ素子は、基板12上に第1クラッド層13、活性層14および第2クラッド層17が積層され、基板12を構成する第1化合物半導体は、第1クラッド層13を構成する第2化合物半導体の格子定数および熱膨張係数よりより大きい格子定数および熱膨張係数を有する2元の化合物半導体であり、第2化合物半導体および活性層14を構成する第3化合物半導体は、3元または4元の混晶半導体であり、第1、第2および第3化合物半導体は、第1クラッド層13および活性層14の膜厚と、680〜720°Cの温度条件下で第1クラッド層13および活性層14において生じる引張歪みとが所定の関係式を満たすような組成比であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数の半導体レーザ素子が連続してなる半導体レーザアレイにおいて、前記各半導体レーザ素子は、第1化合物半導体から構成される基板と、前記基板上に積層された第2化合物半導体から構成される第1クラッド層と、前記第1クラッド層に積層された第3化合物半導体から構成される活性層と、前記活性層上に積層された第2クラッド層と、を備え、前記第1化合物半導体は、前記第2化合物半導体の格子定数より大きい格子定数を有すると共に、前記第2化合物半導体の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する2元の化合物半導体であり、前記第2および第3化合物半導体は、3元または4元の混晶半導体であり、前記第1、第2および第3化合物半導体は、前記第1クラッド層および前記活性層の膜厚をh<SB>1</SB>およびh<SB>2</SB>とし、680〜720°Cの温度条件下で前記第1クラッド層および前記活性層において生じる引張歪みをε<SB>1</SB>およびε<SB>2</SB>としたとき、下記の関係式(1)、(2)-3nm≦ε<SB>1</SB>×h<SB>1</SB><-0.1nm ・・・(1)-0.5nm≦ε<SB>2</SB>×h<SB>2</SB>≦0.5nm ・・・(2)が成立する組成比であることを特徴とする半導体レーザアレイ。
Fターム (6件)：
5F073AB05
, 5F073CA12
, 5F073CA14
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA29
