特許

J-GLOBAL ID：200903036393749296

III-V族窒化物半導体レーザ

発明者： 仁道 正明 ,  碓井 彰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349396
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 結晶欠陥及びクラックの発生を抑制して素子歩留まり及び信頼性に優れ、かつ良好な基本横モードに整形されたレーザ光を放出でき、素子抵抗及び閾値電流が低いIII-V族窒化物半導体レーザ構造を提供すること。【解決手段】 n型AlGaN層1上に、n型AlGaNクラッド層2、n型GaN光ガイド層3、多重量子井戸構造活性層4、p型AlGaNキャップ層5、p型GaN光ガイド層6、p型AlGaNクラッド層7、p型GaNコンタクト層8、p電極9を積層した構造とする。n型AlGaNクラッド層2の層厚をd1μm、層面内歪量をε1とし、p型AlGaNクラッド層7の層厚をd2μm、層面内歪量をε2としたときに、-0.0024μm≦ε1・d1+ε2・d2≦0.0024μmを満たすようにする。

請求項（抜粋）：

第1の隣接クラッド層、活性層領域および第2の隣接クラッド層がこの順で積層した構造を有し、前記活性層領域はIII-V族窒化物系材料により構成されたIII-V族窒化物半導体レーザであって、第1の隣接クラッド層の層厚をd1μm、第2の隣接クラッド層の層厚をd2μm、第1の隣接クラッド層の層面内歪量をε1、第2の隣接クラッド層の層面内歪量をε2としたときに、-0.0048μm≦ε1・d1+ε2・d2≦0.0048μmを満たすことを特徴とするIII-V族窒化物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C

Fターム (17件)：

5F041AA03 ,  5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CB11 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206937   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-310333   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-145199   出願人：ソニー株式会社