特許

J-GLOBAL ID：200903031594126902

マスクパターン設計方法及びフォトマスク

発明者： 小谷 敏也 ,  田中 聡 ,  井上 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208056
公開番号（公開出願番号）：特開2000-039698
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】マスク描画プロセスの精度向上を図ることなく補助パターンによる補正効果を安定的に得ることを可能とする。【解決手段】マスクパターン4に、設計パターンに対応する主パターン5に対して寸法s1 ,s2 の2辺を持つ長方形の補助パターン6を付加し、補助パターン6の平面形状の微小変化△s1 ,Δs2 に対するショートニングの変化量をΔxとした場合、転写後のウェハ上のパターン平面形状の変化量s’={(±Δx/±Δs1 )2 +(±Δx/±Δs2 )2 }1/2 が所定の許容値以下になるように補助パターン6の平面形状を決定する。

請求項（抜粋）：

投影露光装置により所望の設計パターンをウェハ上に形成するために用いられるフォトマスクのパターンを設計するマスクパターン設計方法において、前記設計パターンに対応する主パターンに対して補助パターンを付加したマスクパターンを作成し、かつ該補助パターンの平面形状の変化に対する転写後のウェハ上のパターン平面形状の変化量が所定の許容値以下になるように前記補助パターンの平面形状を決定することを特徴とするマスクパターン設計方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (7件)：

2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB06 ,  2H095BB29 ,  2H095BB31 ,  2H095BD31 ,  2H095BE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォトマスク及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-308358   出願人：日本電気株式会社
• フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-034221   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭57-022240