特許
J-GLOBAL ID：200903031602969850

半導体レーザ装置およびその調整方法

発明者：
長安 同慶

長安 同慶 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073830
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281890
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】各活性領域に入射するレーザ光は、複数の活性領域から放出したレーザ光であるため、各活性領域の位相の交じり合ったレーザ光となり、高集光化を阻害する。【解決手段】レーザ光を放出する活性領域が活性層に平行な方向に複数個配置されたレーザ光放出手段と、前記複数の活性領域から放出されたレーザ光のビーム発散性を抑制するコリメートレンズとを備え、前記コリメートレンズは、前記活性領域から放出された各レーザ光の一部を前記活性領域に隣り合う活性領域に反射させ、かつ、前記反射光の光路長が(1/4)*タルボット長の整数倍にすることにより、位相同期する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レーザ光を放出する活性領域が活性層に平行な方向に複数個配置されたレーザ光放出手段と、前記複数の活性領域から放出されたレーザ光のビーム発散性を抑制するコリメートレンズとを備え、前記コリメートレンズは、前記活性領域から放出された各レーザ光の一部を前記活性領域に隣り合う活性領域に反射させ、かつ、前記反射光の光路長が(1/4)*タルボット長の整数倍である半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S5/22 ,  H01S5/022
FI (2件)：
H01S5/22 610 ,  H01S5/022
Fターム (9件)：
5F073AA01 ,  5F073AA42 ,  5F073AA89 ,  5F073AB02 ,  5F073AB26 ,  5F073EA18 ,  5F073FA08 ,  5F073FA11 ,  5F073FA21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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