特許

J-GLOBAL ID：200903031613640760

半導体装置の作製方法

発明者： 大沼 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-167422
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072083
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶構造を有する半導体膜を得た後、該膜中に残存する当該金属元素を効果的に除去し、素子間のバラツキを低減する技術を提供することを課題とする。【解決手段】ゲッタリングサイトを形成する工程として、希ガス元素を含む半導体膜16を形成した後、希ガス元素の拡散を防ぐ拡散防止膜1を形成することで、特に600°C以上の高温加熱処理としたゲッタリングにおいて、半導体膜14中の金属元素を効果的に除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に非晶質構造を有する第1の半導体膜を形成する第1工程と、 前記非晶質構造を有する第1の半導体膜に金属元素を添加する第2工程と、 前記第1の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第1の半導体膜を形成する第3工程と、 前記結晶構造を有する第1の半導体膜の表面にバリア層を形成する第4の工程と、 前記バリア層上に希ガス元素を含む第2の半導体膜を形成する第5の工程と、 前記第2の半導体膜上に希ガス元素の拡散防止膜を形成する第6の工程と、 加熱処理を行い、前記第2の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第1の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第7工程と、 前記拡散防止膜を除去する第8工程と、 前記第2の半導体膜を除去する第9工程と、 前記バリア層を除去する第10工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (6件)：

H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/322 G ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 627Z

Fターム (95件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092MA08 ,  2H092MA29 ,  2H092NA24 ,  3K007AB17 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052EA02 ,  5F052EA04 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-176282   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281797   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-176282   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281797   出願人：富士通株式会社