半導体スイッチ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：緒方保人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185556
公開番号（公開出願番号）：特開平10-013204
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】周波数の高い高周波信号を対象とする場合でも、寄生インダクタンス成分の影響をなくし、十分なアイソレーション特性を維持できるようにする。【解決手段】入出力端子1,2間に接続された第1のFET3、この第1のFET3が非導通状態の際に導通状態となるように接続された第2のFET7を有する半導体スイッチ回路で、上記第2のFET7のソースと接地電位端子6との間に、この間に存在するインダクタンス成分14に対し直列共振するための容量素子15を接続配置する。これによれば、例えば1.5GHz程度の周波数領域で直列共振させ、第2のFET7とアース間を低インピーダンスとして、良好なアイソレーション特性を得ることができる。なお、上記インダクタンス成分14は、ICチップのボンデイングワイヤ又はリードフレーム等のインダクタンス値を調整して所望の値に設定できる。

請求項（抜粋）：

入出力端子間に接続配置された第1の半導体スイッチ素子と、この第1の半導体スイッチ素子が非導通状態の際に導通状態となるように、上記入力端子にドレインが接続された第2の半導体スイッチ素子と、を有する半導体スイッチ回路において、上記第2の半導体スイッチ素子のソースとアースとの間に、当該第2の半導体スイッチとアースとの間に存在するインダクタンス成分に対し直列共振するための容量素子を接続配置したことを特徴とする半導体スイッチ回路。

IPC (4件)：

H03K 17/687 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/80

FI (3件)：

H03K 17/687 G , H01L 27/04 F , H01L 29/80 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

反射型スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-241829 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-073664
特開昭61-069212

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