特許

J-GLOBAL ID：200903031637836941

発光ダイオードの製造方法

発明者： ヨツヘン・ゲルネル
出願人/特許権者： テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293065
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116191
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 ダイオードを個別化した後の追加的なプロセスステップを省略することができる、つや消しにした表面を有する発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 基板(1)を準備し;放射を発生するpn-接合部を含む層系列(2a,2,3)を基板(1)上に製造し;放射を発生するpn-接合部を含む層系列(2a,2,3)の表面及び基板(1)の裏側に接触層(5,6,7;8)を製造し;接触層(5,6,7;8)を熱処理する、方法ステップを含む、発光ダイオードの製造方法において、放射を発生するpn-接合部を含む層系列(2a,2,3)の表面を、接点層(5,6,7)を堆積する前につや消しにする。

請求項（抜粋）：

・基板(1)を準備し;・放射を発生するpn-接合部を含む層系列(2a,2,3)を基板(1)上に製造し;・放射を発生するpn-接合部を含む層系列(2a,2,3)の表面及び基板(1)の裏側に接触層(5,6,7;8)を製造し;・接触層(5,6,7;8)を熱処理する、方法ステップを含む、発光ダイオードの製造方法において、放射を発生するpn-接合部を含む層系列(2a,2,3)の表面を、接点層(5,6,7)を堆積する前につや消しにすることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭51-023868
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-100215   出願人：日亜化学工業株式会社