特許

J-GLOBAL ID：200903031651202262

半導体レーザ装置

発明者： 岩井 則広 ,  舟橋 政樹
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103966
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299759
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 ラマン増幅用光源に適した安定かつ高出力の半導体レーザ装置を得ること。【解決手段】 n-InP基板1上に、n-InPクラッド層2、SCH-MQW活性層3、p-InPクラッド層4およびp-GaInAsP光導波路層5をテーパ形状に形成し、テーパ形状と回折格子のグレーティングピッチと活性層を含む光導波路と共振器長との発振パラメータの組合せ設定によって2本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する。

請求項（抜粋）：

レーザ光の出射端面に設けた第1反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第2反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設けた埋込型半導体レーザ装置において、前記活性層を少なくとも含むメサストライプ部を備え、前記メサストライプ部の横方向の幅は、前記第1反射膜側から前記第2反射膜側にかけた全領域あるいは一部において連続的に拡がるテーパ形状を成し、前記テーパ形状と前記回折格子のグレーティングピッチと前記活性層を含む光導波路と共振器長との発振パラメータの組合せ設定によって2本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/227

FI (3件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/227

Fターム (9件)：

5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA44 ,  5F073AA64 ,  5F073AA83 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-330066   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-157778
  
• 特開昭59-161086