特許
J-GLOBAL ID：200903031661110463
絶縁物上シリコン技術のための分離酸化物形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298216
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129631
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 応力の減少を図った、絶縁物上シリコン(SOI)基板(21)上に分離酸化物(30)を形成する方法を提供する。【解決手段】 分離酸化物形成方法は、SOI基板(21)のシリコン層(24)の一領域上に、マスク層(26,27)を配する工程を含む。分離酸化物(30)を、シリコン層(24)の別の領域(28)に成長させる。分離酸化物(30)は、シリコン層(24)の厚さ(29)以下の深さ(32)に、シリコン層(24)内に成長させる。マスク層(26,27)を除去した後、シリコン層(24)の別の領域(28)内に分離酸化物(30)を更に成長させ、分離酸化物(30)をSOI基板(21)内の埋め込み電気絶縁層(23)に結合する。埋め込み電気絶縁層(23)および分離酸化物(30)は、半導体素子(20)の活性領域(43)を電気的に分離する。
請求項（抜粋）：
絶縁物上シリコン技術のための分離酸化物形成方法であって:ある厚さを有するシリコン層(24)の下に、絶縁層(23)を有する絶縁物上シリコン基板(21)を用意する段階;前記シリコン層(24)の第1領域上にマスク層(27)を配する段階;前記シリコン層(24)の第2領域内に、前記分離酸化物(30)の第1部分を成長させる段階であって、前記シリコン層(24)内に、前記シリコン層(24)の厚さ以下の深さに、前記分離酸化物(30)の第1部分を成長させる前記段階;前記マスク層(27)を除去する段階;および前記シリコン層(24)の第2領域内に前記分離酸化物(30)の第2部分を成長させる段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/762
, H01L 27/12
H01L 21/94 A
, H01L 27/12 F
, H01L 21/76 D
