特許

J-GLOBAL ID：200903031670886830

半導体装置及びその製造方法

発明者： 東條 信治 ,  金光 伸弥 ,  市原 誠一 ,  中村 寿雄 ,  秋元 康治
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295503
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134471
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】すべて一つの決った大きさのパッドを形成し、その上に実装形態に応じてバンプの大きさ(サイズ)と配置を変えて異なるバンプを形成する。半導体チップの実装形態のカスタム対応がしやすく、開発TATを短縮する。【解決手段】半導体基板の主面に半導体素子回路とその外部電極(パッド)が形成され、該外部電極(パッド)と配線基板の配線(インナーリード)とがバンプで電気的に接続された半導体装置において、前記外部電極(パッド)の大きさがすべて均一(同じ寸法)であり、かつ前記バンプの大きさと配置とが実装形態に応じて変えられて形成されていることを特徴とする。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に半導体素子回路とその外部電極(パッド)が形成され、該外部電極(パッド)と配線基板の配線(インナーリード)とがバンプで電気的に接続された半導体装置において、前記外部電極(パッド)の大きさがすべて均一(同じ寸法)であり、かつ前記バンプの大きさと配置とが実装形態に応じて変えられて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  G02F1/1345

FI (3件)：

H01L21/92 602N ,  H01L21/60 311S ,  G02F1/1345

Fターム (12件)：

2H092GA32 ,  2H092GA40 ,  2H092GA48 ,  2H092GA60 ,  2H092JB77 ,  2H092MA57 ,  2H092NA30 ,  5F044KK03 ,  5F044KK06 ,  5F044LL09 ,  5F044NN07 ,  5F044QQ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フリップチップ接続構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-173847   出願人：シャープ株式会社
• フリップチップ接続によるバンプの配置方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-269036   出願人：ソニー株式会社