特許
J-GLOBAL ID：200903031690099320

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

発明者：
藤枝 一郎

藤枝 一郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258026
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097697
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 寄生容量によるトランジスタの劣化を招くことなく、高電圧が印加されても絶縁破壊が起こり難くし、十分に耐圧を高くすることが可能な絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース領域11の外周とドレイン領域12の内周とは同一の中心点を持って円弧状に形成されている。ソース領域11の外周の半径aとドレイン領域12の内周の半径bとの間にはa<bなる関係が成立している。ゲート電極用配線23とドレイン領域用配線22とソース領域用配線21とは同一平面上または絶縁層を介して複数の平面上に形成され、かつ互いに交差しないように構成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に薄膜半導体で形成されかつ同一の中心点を持って円弧状に形成された第一及び第二の端部を含むチャネル領域と、前記第一の端部に高濃度の不純物を導入して形成されるドレイン領域と、前記第二の端部に高濃度の不純物を導入して形成されるソース領域と、前記チャネル領域の上部及び下部のいずれか一方に絶縁層を介して形成されるゲート電極とを有し、前記ソース領域の外周の半径が前記ドレイン領域の内周の半径より小なる関係を持ちかつ前記ゲート電極用の配線パターンと前記ドレイン領域に接続される配線用の電極パターンと前記ソース領域に接続される配線用の電極パターンとが互いに交差しないよう構成したことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 J
引用特許：
審査官引用 (8件)
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