液晶表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160469
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】リーク電流の少ない薄膜トランジスタを提供する。【構成】半導体膜の活性層(504)には、TFTの外形が略相似とされた電極が同心円状に配置されている。円形の電極(501)の外側を囲むように、ゲイト電極(502)、円環の一部が欠けた形状の電極(503)が配置されている。電極(501)はゲイト電極を構成する配線金属とは異なる層に配置され、電極(501)と電極(503)は同一層の配線金属で構成される。電極(501)と電極(503)は、いずれか一方をソース電極とし、他方をドレイン電極とする。これにより、活性層(504)のエッジがソース電極とドレイン電極とを結ぶ線上に存在しないため、ドレイン電極とソース電極とが、ゲート電極によって短絡されない構成となる。この結果、リーク電流を減少させることができる。

請求項（抜粋）：

ゲイト電極がドレイン電極を囲むように配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極をほぼ囲むようにソース電極が配置された構造の薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-221175 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-233486 出願人：三菱電機株式会社
特開昭60-189969

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