特許

J-GLOBAL ID：200903031707867009

結晶性シリコン膜、結晶性シリコン膜の形成方法及び結晶性シリコン膜の形成装置

発明者： 桐村 浩哉 ,  岸田 茂明 ,  緒方 潔
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022405
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208389
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温下で、生産性良く形成された結晶性シリコン膜、並びに比較的低温下で、生産性良く膜形成できる結晶性シリコン膜の形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 シリコン系ガスを含む原料ガスをプラズマ励起用エネルギ供給手段(高周波電源17a、リング状電極14a等)によりプラズマ化し、且つ、このプラズマ13を被成膜物品10周縁部の近傍に形成するとともに、物品10表面にイオンビームを照射して形成された結晶性シリコン膜、並びにそのような結晶性シリコン膜の形成方法及び装置。

請求項（抜粋）：

シリコン系ガスを含む原料ガスをプラズマ励起用エネルギの供給によりプラズマ化し、該プラズマの下で被成膜物品上に形成された結晶性シリコン膜であって、該プラズマを該物品周縁部の近傍に形成するとともに、該物品表面にイオンビームを照射して形成されたことを特徴とする結晶性シリコン膜。

IPC (4件)：

C30B 29/06 504 ,  C23C 14/14 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/06 504 A ,  C23C 14/14 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多結晶シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198718   出願人：日新電機株式会社
• 特開平2-115379