特許

J-GLOBAL ID：200903031710469723

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者： 出口 幹雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351335
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198351
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体膜を用いた半導体装置の製造方法および製造装置において、歩留まりおよび生産性を改善する。また、半導体膜を用いた半導体装置の性能を改善する。【解決手段】 半導体膜1の分離の際に、半導体膜1と基板100との間に水11または水溶液を充満させ、半導体膜1を基板面と平行に滑らせて分離する。つまりその装置は、基板100および半導体膜1をセットすることのできる大きさの平坦な第1の領域と第2の領域を有し、第1の領域および第2の領域の間に基板1の厚さより小さく、かつ基板100の厚さの半分以上の段差を設け、基板100を段差に引っ掛け、半導体膜1を基板100から分離するように構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体膜を前記基板から分離する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体膜の分離の際に、前記半導体膜と前記基板との間に水または水溶液を充満させ、前記半導体膜を前記基板面に沿って滑らせて分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/306 N ,  H01L 31/04 A ,  H01L 21/306 J

Fターム (12件)：

5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD07 ,  5F043DD18 ,  5F043EE12 ,  5F043EE35 ,  5F043GG10 ,  5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-075172
  
• 流体を用いる搬送装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236682   出願人：富士通株式会社