特許
J-GLOBAL ID：200903031726342901
電界放出型冷陰極およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168938
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016484
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極とエミッタ間の耐圧の劣化を抑制した上で、ゲート電極とエミッタ間の距離を短縮し、動作電圧の低減を可能とする電界放出型冷陰極を簡単な製造工程で提供する。【解決手段】 先鋭な先端形状を有するエミッタ104が上表面に形成されエミッタ引き出し電極となる基板101と、基板上に絶縁膜103、106を介して形成されエミッタを間隔をおいて取り囲む開口を有するゲート電極107とにより構成された電界放出型冷陰極において、エミッタ近傍ではゲート電極107とエミッタ104とは空間を隔てて配置され、絶縁膜と基板との境界面103aはエミッタの形成される基板表面より低い位置にあり、境界面とエミッタの形成される基板表面との段差106aが絶縁膜とエッミタとの間に形成されており、ゲート電極を支える絶縁膜の厚さは、エミッタとゲート電極間の距離よりも大きい。
請求項（抜粋）：
先鋭な先端形状を有するエミッタが上表面に形成されエミッタ引き出し電極となる基板と、前記基板上に絶縁膜を介して形成され前記エミッタを間隔をおいて取り囲む開口を有するゲート電極とにより構成された電界放出型冷陰極において、前記エミッタ近傍では前記ゲート電極と前記エミッタとは空間を隔てて配置され、前記絶縁膜と前記基板との境界面は前記エミッタの形成される前記基板表面より低い位置にあり、前記境界面と前記エミッタの形成される前記基板表面との段差が前記絶縁膜と前記エミッタとの間に形成されており、前記ゲート電極を支える前記絶縁膜の厚さは、前記エミッタと前記ゲート電極間の距離よりも大きいことを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01J 31/12
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
