特許

J-GLOBAL ID：200903031745173134

半導体装置とその製造方法およびその実装構造

発明者： 菊地 正義
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214420
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置上に設けたバンプはメッキ法により形成するためにバンプの高さバラツキが4μmあり、異方性導電フィルムを用いた基板への実装の際、バンプ高さバラツキを吸収できる導電性粒子径を選択する必要がある。導電性粒子径5μm以上を使用した場合、バンプ間の接続ピッチが40μm以下では対応できない。【解決手段】 半導体装置10上に設けた金属膜40を接続電極として用いる半導体装置とその製造方法およびその実装構造。金属膜40は、高さ寸法バラツキが0.5μm以下と小さいため、異方性導電フィルム80の導電ビーズ90は5μm以下の径が使用でき、微細接続ピッチに対応できる。金属膜40上に感光性樹脂50を設けるため、金属膜表面にCuやAgからなる金属を用いることができる。

請求項（抜粋）：

アルミパッド上に開口部を有する絶縁膜と、開口部内のアルミパッド上と絶縁膜とにまたがって設けた複数の層からなる金属膜と、その金属膜上に感光性樹脂を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-296723
  
• 特開平2-180036
  
• 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品載置テーブル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-004679   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-047943