特許

J-GLOBAL ID：200903031785707220

平坦化方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 長島 直樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318507
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181134
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 安定に、かつスクラッチや砥粒残存などの問題なく平坦化を達成できる平坦化方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 段差(配線等による)を有する下地上にバイアスECR-CVD法により成膜を行い、該バイアスECR-CVD法により成膜した膜3の凸部3aが露出しない膜厚でSOG4を塗布して、平坦化を行う。

請求項（抜粋）：

段差を有する下地上にバイアスECR-CVD法により成膜を行い、該バイアスECR-CVD法により成膜した膜の凸部が露出しない膜厚でSOGを塗布することを特徴とする平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189999   出願人：富士電機株式会社, 富士通株式会社
• 特開平4-245628
  
• 特開平4-245628