特許
J-GLOBAL ID：200903031791002581
薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-136987
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334874
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 高品質の酸化亜鉛薄膜を低温で形成することができる薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子を提供する。【解決手段】 薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板1上に形成される高温バッファー層2と、この高温バッファー層2上に形成される低温薄膜3とを具備する。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に高温バッファー層を形成する工程と、(b)該高温バッファー層上に低温での薄膜成長を行わせる工程とを施すことを特徴とする薄膜結晶の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/314 M
, C23C 14/28
4K029AA04
, 4K029BA49
, 4K029BB02
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 5F058BA20
, 5F058BB06
, 5F058BB07
, 5F058BD01
, 5F058BD05
, 5F058BF17
, 5F058BG03
