特許
J-GLOBAL ID：200903003360328630

半導体発光素子、およびその製造方法

発明者：
門田 道雄

門田 道雄 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244014
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 発光素子として満足のゆく結晶性を有するZnO発光層をもった半導体発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板等の下地基板と、下地基板上に形成されるZnO発光層を有してなる半導体発光素子において、前記下地基板とZnO発光層との間に、Ni等の不純物のドープされたZnOバッファ層を介在して設ける。
請求項（抜粋）：
下地基板と、下地基板上に形成されるZnO系発光層を有してなる半導体発光素子であって、前記下地基板とZnO系発光層との間に、不純物のドープされたZnOバッファ層を介在して設けたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (8件)：
5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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