特許

J-GLOBAL ID：200903031801517810

IC表面保護膜の穴あけ装置及びこの装置を用いた穴あけ方法

発明者： 山崎 眞
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-204876
出願日： 1994年01月14日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ状態あるいはチップ状態のIC(半導体集積回路)で、そのICの不良解析を行うためにIC内部の配線パターンに接針で接触してICテスタでテストを行う場合に、配線パターンに接針を当てるためにIC表面の保護膜に穴をあける。この穴あけ装置が従来は配線パターンまで切断したり、逆に保護膜が剥離できなかったりしていた。本発明は、安全で正確なIC表面保護膜の穴あけ装置と方法を提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するために、本発明は、1nsから5nsまでの短パルスのレーザ発振器を設け、レーザビームの光路に膜厚測定器を設け、測定した膜厚に応じてレーザビームの出射強度と対物レンズの焦点距離を制御する制御部とを具備する構成とし、先ずIC表面の膜厚を測定し、膜厚に応じてレーザビームの出射強度と対物レンズの焦点距離を設定し、その後にレーザビームを出射する方法とする。

請求項（抜粋）：

レーザ発振器を具備し、このレーザ発振器から出射されるレーザビームをIC表面に照射し、IC表面の保護膜を剥離するIC表面保護膜の穴あけ装置において、上記レーザ発振器はパルスの半値幅が1nsから5nsまでのレーザビームを発振するレーザ発振器(11)であり、IC表面から反射されるビームの光路に設けられた膜厚測定器(26)と、上記膜厚測定器(26)の測定結果による膜厚に応じて上記レーザ発振器(11)のレーザビーム(12)の出射強度と対物レンズ(15)の焦点距離を制御する制御部(22)と、を具備することを特徴とするIC表面保護膜の穴あけ装置。

IPC (4件)：

B23K 26/00 330 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜除去方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-000596   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-065154
  
• 特開平4-065154