特許

J-GLOBAL ID：200903031823679716

半導体集積回路装置

発明者： 高橋 和史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341032
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160611
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置において、電源配線に起因する雑音に対する除去能力を向上させて、半導体集積回路の高周波での動作を安定にする。【解決手段】 開示される半導体集積回路装置は、第1の面1Aが素子形成面であり第2の面1Bが接地電位面である半導体集積回路チップ1を、第1の面1Aがその表面と対向するように誘電体基板4に取り付け、誘電体基板4の表面に設けられた導体パターン5A,5Bを介して半導体集積回路チップ1の第1の面1Aに設けられた電源端子に電源を接続するとともに、導体パターン5A,5Bと半導体集積回路チップ1の第2の面1Bとの間にバイパスコンデンサ6A,6Bを接続されている。

請求項（抜粋）：

第1の面が素子形成面であり第2の面が接地電位面である半導体集積回路チップを、前記第1の面がその表面と対向するように誘電体基板に取り付け、該誘電体基板の表面に設けられた導体パターンを介して前記半導体集積回路チップの第1の面に設けられた電源端子に電源を接続するとともに、前記導体パターンと前記半導体集積回路チップの第2の面との間にバイパスコンデンサを接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 25/00 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/00 B ,  H01L 23/12 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-040452
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198360   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-040452