特許
J-GLOBAL ID：200903031824318555
光変調装置の製造方法及び光変調装置製造用基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058079
公開番号（公開出願番号）：特開2002-258175
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりを高くすることが可能な光変調装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 駆動電極130が形成された第1基板100Aと、微小ミラー200が形成された第2基板200Aを準備する。第2基板200Aは、シリコン基板250、シリコン酸化層225、シリコン単結晶層260からなるSOI基板を用いて形成される。第1基板100Aと第2基板200Aを接合する。その後、シリコン酸化層225をエッチングストッパーとして、ウエットエッチングによりシリコン基板250を除去する。
請求項（抜粋）：
駆動電極と微小ミラーとの電位差により生じる静電気力により、前記微小ミラーを傾斜駆動させる光変調装置の製造方法において、(A)前記駆動電極を含む第1基板と、前記微小ミラーが形成された第1層、前記第1層のベースとなる第2層、及び、前記第1層と前記第2層との間に位置し前記第2層を除去するときにストッパーとなる第3層、を含む第2基板と、において、前記駆動電極と前記第1層とが対向するように、前記第2基板を前記第1基板に固定する工程と、(B)前記工程(A)後、前記第3層をストッパーとして前記第2層を除去する工程と、を備える、光変調装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
2H041AA16
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ02
, 2H041AZ08
