特許
J-GLOBAL ID：200903031844797212
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-351618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181390
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 高品質の活性層を得、これによって高性能の半導体素子を歩留り良く製造すること【解決手段】 n型の導電型を有する第1の半導体層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該第1の半導体層に比して小さい半導体単層又は量子井戸から成る発光層を含む活性層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該発光層より大きくp型の導電型を有する第2の半導体層から成る積層構造を備え、該積層構造からなるメサ構造が半絶縁性半導体によって埋め込まれている半導体装置において、該第2の半導体層と該活性層の間に導電型がn型でn型不純物濃度が該第2の半導体層のp型不純物濃度より高い半導体単層又は半導体積層を有する半導体装置。
請求項（抜粋）：
n型の導電型を有する第1の半導体層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該第1の半導体層に比して小さい半導体単層又は量子井戸から成る発光層を含む活性層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該発光層より大きくp型の導電型を有する第2の半導体層から成る積層構造を備え、該積層構造からなるメサ構造が半絶縁性半導体によって埋め込まれている半導体装置において、該第2の半導体層と該活性層の間に導電型がn型でn型不純物濃度が該第2の半導体層のp型不純物濃度より高い半導体単層又は半導体積層を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
