特許
J-GLOBAL ID：200903031857794751
基板の研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231411
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057353
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスCMP技術及び層間絶縁膜の平坦化CMP技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化或いは層間絶縁膜の平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 基板を砥粒、研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を与える添加剤を含む研磨剤で研磨する方法であって、パターンの形成された基板の凹部の研磨速度をR<SB>1</SB>、凸部の研磨速度をR<SB>2</SB>とすると、凹部と凸部の段差が100nm以下になるまでのR<SB>2</SB>/R<SB>1</SB>がR<SB>2</SB>/R<SB>1</SB>≧4であり、0<R<SB>1</SB><150nm/min、0<R<SB>2</SB><800nm/minであり、凹部と凸部の段差が100nm以下になるとR<SB>1</SB>、R<SB>2</SB><150nm/minになる基板の研磨方法。被研磨膜のパターン形状に応じて凸部を選択的に研磨する特性を実現することができ、また、平坦化後の研磨がほとんど進行しなくなるので研磨時間によるプロセス管理が容易になる。
請求項（抜粋）：
基板を砥粒、研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を与える添加剤を含む研磨剤で研磨する方法であって、パターンの形成された基板の凹部の研磨速度をR<SB>1</SB>、凸部の研磨速度をR<SB>2</SB>とすると、凹部と凸部の段差が100nm以下になるまでのR<SB>2</SB>/R<SB>1</SB>がR<SB>2</SB>/R<SB>1</SB>≧4であり、0<R<SB>1</SB><150nm/min、0<R<SB>2</SB><800nm/minであり、凹部と凸部の段差が100nm以下になるとR<SB>1</SB>、R<SB>2</SB><150nm/minになることを特徴とする基板の研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 37/00
H01L 21/304 622 X
, H01L 21/304 622 K
, H01L 21/304 622 R
, B24B 37/00 B
3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058BA02
, 3C058BA04
, 3C058BA05
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA17
