特許

J-GLOBAL ID：200903031858288078

金属接合方法

発明者： 三宅 敏広 ,  重松 浩一 ,  真田 一也 ,  石原 秀晴
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368006
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185843
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】十分な接合強度が得られる金属接合方法を提供するを提供する。【解決手段】第1の回路基板10での配線の接続部C1を構成する金属と第2の回路基板20での配線の接続部C2を構成する金属との間に、C-H結合解離エネルギーが950kJ/mol以下の炭化水素化合物30を介在させた状態で、両基板の接続部C1,C2を向かい合わせて配置する。炭化水素化合物30を加熱することにより、炭化水素化合物30を熱分解させて炭化水素化合物30から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって金属の表面に形成された酸化膜12a,23aを還元しつつ、金属の溶融によって両基板の接続部C1,C2を構成する金属を接合する。

請求項（抜粋）：

第1の回路基板での配線の接続部(C1)と、第2の回路基板での配線の接続部(C2)とを接続するための方法であって、前記第1の回路基板での配線の接続部(C1)を構成する金属と第2の回路基板での配線の接続部(C2)を構成する金属との間に、C-H結合解離エネルギーが950kJ/mol以下の炭化水素化合物(30,70)を介在させた状態で、両基板の接続部(C1,C2)を向かい合わせて配置する工程と、前記炭化水素化合物(30,70)を加熱することにより、前記炭化水素化合物(30,70)を熱分解させて前記炭化水素化合物(30,70)から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって前記金属の表面に形成された酸化膜を還元しつつ、前記金属の溶融もしくは拡散によって両基板の接続部(C1,C2)を構成する金属を接合する工程と、を備えたことを特徴とする金属接合方法。

IPC (3件)：

H05K 3/36 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 35/36

FI (3件)：

H05K 3/36 B ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 35/36 Z

Fターム (7件)：

4E084AA31 ,  4E084CA38 ,  5E344AA01 ,  5E344AA22 ,  5E344CC23 ,  5E344CD40 ,  5E344DD03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板と被接続材との接続方法及びその接続構造及びその接続用補助材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-348710   出願人：日本電装株式会社
• 半田付け方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-291000   出願人：松下電器産業株式会社