半導体装置、電気光学装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-097197
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297974
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタや有機エレクトロルミネッセンス素子などの機能素子を備える半導体装置において、製造コストを低減しつつ、配線の電圧降下を抑え、時定数を低減することを目的とする。【解決手段】第1基板から剥離され、第2基板へ転写された素子チップと、前記素子チップ上の回路と接続される第2基板上の回路とを備える半導体装置であって、前記素子チップは、第1基板上で形成された機能素子をひとつ以上含む。前記第2基板として、プリント基板又はフレキシブルプリント回路基板を用いる。

請求項（抜粋）：

第1基板から剥離され、第2基板へ転写された素子チップと、前記素子チップ上の回路と接続される第2基板上の回路とを備える半導体装置であって、前記素子チップは、第1基板上で形成された機能素子をひとつ以上含み、前記第2基板は、プリント基板又はフレキシブルプリント回路基板であることを特徴とする、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 23/12 501 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 310 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (8件)：

H01L 23/12 501 B , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 310 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 627 D

Fターム (59件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB07 , 3K007CA00 , 3K007CA06 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 3K007GA04 , 5C094AA04 , 5C094AA13 , 5C094AA43 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DA06 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB03 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB10 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5C094JA01 , 5F110AA03 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5G435AA01 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435EE36 , 5G435EE37 , 5G435EE41 , 5G435HH01 , 5G435HH20 , 5G435KK05 , 5G435KK09

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