特許
J-GLOBAL ID：200903031876224460
半導体光集積装置および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139417
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】MOVPE選択成長により形成する、MQWを含む半導体光集積装置において、成長阻止マスク幅の異なる領域間で、井戸層のみの禁制帯幅、及び膜厚を変化させ、成膜のMQWや大きなバンドギャップ差を持つ領域を形成しうるようにする。【構成】n-InP基板上にマスク幅が領域Iでは狭く、領域IIでは広く、マスク間隙幅は両領域で等しいSiO2 マスクを形成する。MOVPE法により、InGaAsPからなる光ガイド層と、InGaAs井戸層、InGaAsP障壁層からなるMQW活性層とp-InP層を選択成長させる。このとき、井戸層の成長にはV族原料としてAsH3 を用い、その他の層の成長にはTBA、TBPを用いる。
請求項（抜粋）：
光導波路軸方向に形状の異なる成長阻止マスクが形成された半導体層上へ、有機金属気相成長法により、量子井戸構造を選択成長した半導体光集積装置において、マスク形状の異なる領域間で、前記量子井戸構造の井戸層のみの層厚或いは組成、もしくは層厚と組成の両方が異なることを特徴とする半導体光集積装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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